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IXTH75N10L2
IXTT75N10L2
200
180
Fig. 7. Input Admittance
T J = - 40oC
90
80
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
160
25oC
125oC
70
25oC
140
120
60
125oC
50
100
40
80
60
40
20
0
30
20
10
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
14
12
V DS = 50V
I D = 37.5A
I G = 10mA
160
10
120
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
100.0
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10.0
Ciss
0.10
Coss
1.0
Crss
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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